NXP USA Inc. PMK30EP518
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PMK30EP518
1786-PMK30EP518
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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P-CHANNEL POWER MOSFET
1最小包装量--
PMK30EP518详情
NXP USA Inc. PMK30EP518重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
8-SO
厂商
NXP USA Inc.
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
14.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
6.9W (Tc)
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
19mOhm @ 9.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2240 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
50 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
30 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
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PMK30EP518拓展信息
NXP USA Inc.
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