NXP USA Inc. PMN35EN
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PMN35EN
1786-PMN35EN
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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大陆
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5100mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-74, TSOP-6
1最小包装量--
PMN35EN详情
NXP USA Inc. PMN35EN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
6
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
53 ns
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
500 mW
元素配置
Single
接通延迟时间
4 ns
漏源电压 (Vdss)
30 V
连续放电电流(ID)
5.1 A
阈值电压
1.5 V
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
输入电容
334 pF
漏源电阻
31 mΩ
宽度
1.7 mm
高度
1 mm
长度
3.1 mm
达到SVHC
无SVHC
PMN35EN拓展信息
NXP USA Inc.
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