NXP USA Inc. PMWD30UN,518

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

1997

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

2.3W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

33m Ω @ 3.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

700mV @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1478pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

28nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

30V

JEDEC-95代码

MO-153AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

漏极-源极导通最大电阻

0.04Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant