NXP USA Inc. PSMN010-55D,118

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

125W Tc

系列

TrenchMOS™

已出版

1999

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10.5m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3300pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

55nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

55V

Vgs（最大值）

±15V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

75A

漏极-源极导通最大电阻

0.013Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240A

DS 击穿电压-最小值

55V

雪崩能量等级（Eas）

264 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant