NXP USA Inc. PSMN013-100XS,127

表面安装

NO

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

安装类型

通孔

引脚数

3

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Power Dissipation (Max)

48.4W Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

35.2A Tc

已出版

2012

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

13.9m Ω @ 10A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3195pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

57.5nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

35.2A

源Url状态检查日期

2013-06-14 00:00:00

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

not_compliant