NXP USA Inc. PSMN014-60LS,115
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PSMN014-60LS,115
1786-PSMN014-60LS,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-VDFN Exposed Pad
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MOSFET N-CH 60V QFN3333
1最小包装量--
PSMN014-60LS,115详情
NXP USA Inc. PSMN014-60LS,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-VDFN Exposed Pad
表面安装
YES
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
40A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
65W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
引脚数量
8
配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
14m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1264pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
19.6nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
40A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PSMN014-60LS,115拓展信息
NXP USA Inc.
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