NXP USA Inc. PSMN015-110P
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PSMN015-110P
1786-PSMN015-110P
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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TRANSISTOR 75 A, 110 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN, FET General Purpose Power
--最小包装量--
PSMN015-110P详情
NXP USA Inc. PSMN015-110P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
Voltage Rating (DC)
110 V
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
95 ns
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
额定电流
75 A
元素配置
Single
功率耗散
300 W
上升时间
65 ns
连续放电电流(ID)
75 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏源击穿电压
110 V
输入电容
4.9 nF
漏源电阻
40.5 mΩ
无铅
无铅
PSMN015-110P拓展信息
NXP USA Inc.
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