NXP USA Inc. PSMN070-200P,127

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-220AB

Input Capacitance (Ciss) @ Vds

4570pF @ 25V

Gate Charge (Qg) @ Vgs

77nC @ 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

35A (Tc)

Online Catalog

N-Channel Standard FETs

Standard Package

50

Package

Bulk

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

恩智浦半导体

Power Dissipation (Max)

250W (Tc)

Product Status

活跃

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

功率 - 最大

250W

家人

FETs - Single

场效应管类型

MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Rds On(Max)@Id,Vgs

70 mOhm @ 17A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4570 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

77 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

Standard