NXP USA Inc. PSMN1R5-25YL
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PSMN1R5-25YL
1786-PSMN1R5-25YL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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TRANSISTOR 100 A, 25 V, 0.0022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, LFPAK-5, FET General Purpose Power
--最小包装量--
PSMN1R5-25YL详情
NXP USA Inc. PSMN1R5-25YL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
4
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
72 ns
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
109 W
元素配置
Single
功率耗散
109 W
接通延迟时间
50 ns
漏源电压 (Vdss)
25 V
连续放电电流(ID)
100 A
阈值电压
1.7 V
输入电容
4.83 nF
漏源电阻
1.5 mΩ
栅源电压
1.7 V
宽度
4.1 mm
高度
1.05 mm
长度
5 mm
达到SVHC
无SVHC
PSMN1R5-25YL拓展信息
NXP USA Inc.
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