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NXP USA Inc. PSMN1R7-30YL

Name: PSMN1R7-30YL
Brand: NXP USA Inc.
SKU: 1786-PSMN1R7-30YL
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

PSMN1R7-30YL

品牌

NXP USA Inc.

utmel 编号

1786-PSMN1R7-30YL

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR 100 A, 30 V, 0.0021 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, POWER, SO8, LFPAK-4, FET General Purpose Power

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PSMN1R7-30YL NXP USA Inc. TRANSISTOR 100 A, 30 V, 0.0021 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, POWER, SO8, LFPAK-4, FET General Purpose Power

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PSMN1R7-30YL详情

技术参数

NXP USA Inc. PSMN1R7-30YL重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
引脚数

4
RoHS

Compliant
Turn Off Delay Time

76 ns
包装

切割胶带
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

109 W
元素配置

Single
功率耗散

109 W
接通延迟时间

46 ns
漏源电压 (Vdss)

30 V
连续放电电流(ID)

100 A
阈值电压

1.7 V
栅极至源极电压(Vgs)

20 V
输入电容

5.057 nF
漏源电阻

2.4 mΩ
栅源电压

1.7 V
宽度

4.1 mm
高度

1.1 mm
长度

5 mm
达到SVHC

无SVHC

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PSMN1R7-30YL拓展信息

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