NXP USA Inc. PSMN2R0-30BL,118

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

D2PAK

RoHS

Lead free / RoHS Compliant

Standard Package

1

Gate Charge (Qg) @ Vgs

117nC @ 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A (Tc)

Input Capacitance (Ciss) @ Vds

6810pF @ 15V

Online Catalog

N-Channel Logic Level Gate FETs

功率 - 最大

211W

家人

FETs - Single

场效应管类型

MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.1 mOhm @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.15V @ 1mA

漏源电压 (Vdss)

30V

场效应管特性

逻辑电平门