NXP USA Inc. PSMN2R0-30YL,115

包装/外壳

SC-100, SOT-669, 4-LFPAK

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

LFPAK56, Power-SO8

RoHS

Lead free / RoHS Compliant

Gate Charge (Qg) @ Vgs

64nC @ 10V

Standard Package

1,500

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A (Tc)

Input Capacitance (Ciss) @ Vds

3980pF @ 12V

Online Catalog

N-Channel Logic Level Gate FETs

PCN Packaging

Leader/Trailer Update 03/Apr/2015

包装

Tape & Reel (TR)

功率 - 最大

97W

家人

FETs - Single

场效应管类型

MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Rds On(Max)@Id,Vgs

2 mOhm @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.15V @ 1mA

漏源电压 (Vdss)

30V

场效应管特性

逻辑电平门