NXP USA Inc. PSMN3R8-100BS
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PSMN3R8-100BS
1786-PSMN3R8-100BS
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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120A, 100V, 0.0039ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3
1最小包装量--
PSMN3R8-100BS详情
NXP USA Inc. PSMN3R8-100BS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
122 ns
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
306 W
元素配置
Single
接通延迟时间
45 ns
漏源电压 (Vdss)
100 V
连续放电电流(ID)
120 A
阈值电压
3 V
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
输入电容
9.9 nF
漏源电阻
6.9 mΩ
栅源电压
3 V
宽度
11 mm
高度
4.5 mm
长度
10.3 mm
达到SVHC
无SVHC
PSMN3R8-100BS拓展信息
NXP USA Inc.
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