NXP USA Inc. PSMN3R9-60XSQ
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PSMN3R9-60XSQ
1786-PSMN3R9-60XSQ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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MOSFET N-CH 60V 75A TO-220F
1最小包装量--
PSMN3R9-60XSQ详情
NXP USA Inc. PSMN3R9-60XSQ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
75A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
55W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2013
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
引脚数量
3
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4m Ω @ 25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5494pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
103nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PSMN3R9-60XSQ拓展信息
NXP USA Inc.
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