NXP USA Inc. PSMN4R0-40YS
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PSMN4R0-40YS
1786-PSMN4R0-40YS
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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大陆
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TRANSISTOR 100 A, 40 V, 0.0042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, LFPAK-4, FET General Purpose Power
--最小包装量--
PSMN4R0-40YS详情
NXP USA Inc. PSMN4R0-40YS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
4
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
34 ns
包装
切割胶带
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
106 W
元素配置
Single
功率耗散
106 W
接通延迟时间
18 ns
漏源电压 (Vdss)
40 V
连续放电电流(ID)
100 A
阈值电压
3 V
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
输入电容
2.41 nF
漏源电阻
5.6 mΩ
宽度
4.1 mm
高度
1.1 mm
长度
5 mm
达到SVHC
无SVHC
PSMN4R0-40YS拓展信息
NXP USA Inc.
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