NXP USA Inc. PSMN7R8-120ESQ

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

引脚数

3

供应商器件包装

I2PAK

质量

2.387001 g

Continuous Drain Current Id

70

Package

Bulk

Base Product Number

PSMN7R8

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

70A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

NXP USA Inc.

Power Dissipation (Max)

349W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

151.8 ns

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

零件状态

Obsolete (Last Updated: 2 days ago)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

349 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

通道数量

1

元素配置

Single

功率耗散

349

接通延迟时间

45.5 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.9mOhm @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9473 pF @ 60 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

167 nC @ 10 V

上升时间

55.3 ns

漏源电压 (Vdss)

120 V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

70 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大双电源电压

120 V

漏源击穿电压

120 V

输入电容

9.473 nF

信道型

N

场效应管特性

-

漏源电阻

6.72 mΩ

最大rds

7.9 mΩ