NXP USA Inc. PSMN8R2-80YS
- 收藏
- 对比
PSMN8R2-80YS
1786-PSMN8R2-80YS
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
大陆
立即发货

TRANSISTOR 82 A, 80 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, LFPAK-4, FET General Purpose Power
1最小包装量--
PSMN8R2-80YS详情
NXP USA Inc. PSMN8R2-80YS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
4
Turn Off Delay Time
51 ns
RoHS
Compliant
包装
切割胶带
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
130 W
元素配置
Single
功率耗散
130 W
接通延迟时间
25 ns
漏源电压 (Vdss)
80 V
连续放电电流(ID)
82 A
阈值电压
3 V
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
输入电容
3.64 nF
漏源电阻
13.4 mΩ
长度
5 mm
高度
1.1 mm
宽度
4.1 mm
达到SVHC
无SVHC
PSMN8R2-80YS拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.







哦! 它是空的。