PSMN8R2-80YS
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NXP USA Inc. PSMN8R2-80YS

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型号

PSMN8R2-80YS

utmel 编号

1786-PSMN8R2-80YS

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR 82 A, 80 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, LFPAK-4, FET General Purpose Power

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PSMN8R2-80YS NXP USA Inc. TRANSISTOR 82 A, 80 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, LFPAK-4, FET General Purpose Power

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PSMN8R2-80YS详情

NXP USA Inc. PSMN8R2-80YS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    4

  • Turn Off Delay Time

    51 ns

  • RoHS

    Compliant

  • 包装

    切割胶带

  • 最高工作温度

    175 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 最大功率耗散

    130 W

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    130 W

  • 接通延迟时间

    25 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    80 V

  • 连续放电电流(ID)

    82 A

  • 阈值电压

    3 V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20 V

  • 输入电容

    3.64 nF

  • 漏源电阻

    13.4 mΩ

  • 长度

    5 mm

  • 高度

    1.1 mm

  • 宽度

    4.1 mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

0个相似型号

PSMN8R2-80YS拓展信息

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