NXP USA Inc. PSMN8R5-108ESQ

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tj

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

263W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2014

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

参考标准

IEC-60134

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.5m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5512pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

111nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

108V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

100A

漏极-源极导通最大电阻

0.0085Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

429A

DS 击穿电压-最小值

108V

雪崩能量等级（Eas）

219 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant