NXP USA Inc. SI2302DS,215

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

830mW Tc

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

1997

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.75

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

85m Ω @ 3.6A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

650mV @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

230pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

JEDEC-95代码

TO-236AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.085Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

RoHS状态

ROHS3 Compliant