MTB6N60ET4详情
onsemi MTB6N60ET4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
厂商
onsemi
Product Status
活跃
Package
Bulk
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
MTB6N60ET4
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Motorola Mobility LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MOTOROLA INC
Risk Rank
5.75
Drain Current-Max (ID)
6 A
系列
*
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
1.2 Ω
DS 击穿电压-最小值
600 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
MTB6N60ET4拓展信息









哦! 它是空的。