onsemi NTMFD6H846NLT1G
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NTMFD6H846NLT1G
1807-NTMFD6H846NLT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SO-8FL-Dual-8
大陆
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80V 31A 12.2mΩ@10V,5A 34W 2V@21uA 7pF@40V N Channel 900pF@40V [email protected] -55℃~ 175℃@(Tj) DFN-8 MOSFETs ROHS
1最小包装量--
NTMFD6H846NLT1G详情
onsemi NTMFD6H846NLT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
SO-8FL-Dual-8
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1500
Manufacturer
onsemi
Brand
onsemi
RoHS
Details
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
NTMFD6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9.4A (Ta), 31A (Tc)
厂商
onsemi
Product Status
活跃
包装
切割胶带
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
-
子类别
MOSFETs
技术
Si
功率 - 最大
3.2W (Ta), 34W (Tc)
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
15mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 21µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
900pF @ 40V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
80V
产品类别
MOSFET
场效应管特性
Standard
产品类别
MOSFET
NTMFD6H846NLT1G拓展信息








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