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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1292.982578
10
¥1219.794886
100
¥1150.74989
500
¥1085.613107
1000
¥1024.163306
NXH007F120M3F2PTHG详情
onsemi NXH007F120M3F2PTHG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
供应商器件包装
34-PIM (56.7x42.5)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
149A (Tc)
包装
Tray
操作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
零件状态
活跃
配置
4 N-Channel (Full Bridge)
功率 - 最大
353W (Tj)
Rds On(Max)@Id,Vgs
10mOhm @ 120A, 18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.4V @ 60mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
9090pF @ 800V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
407nC @ 18V
漏源电压 (Vdss)
1200V (1.2kV)
场效应管特性
Silicon Carbide (SiC)
NXH007F120M3F2PTHG拓展信息








哦! 它是空的。