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1

￥792.356632
10

￥747.506253
100

￥705.194585
500

￥665.277907
1000

￥627.620665

onsemi NXH010P120MNF1PG

Name: NXH010P120MNF1PG
Brand: onsemi
SKU: 1807-NXH010P120MNF1PG
Price: 792.36 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NXH010P120MNF1PG

品牌

onsemi

utmel 编号

1807-NXH010P120MNF1PG

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

封装

Module

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO

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NXH010P120MNF1PG onsemi PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO

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NXH010P120MNF1PG详情

技术参数

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onsemi NXH010P120MNF1PG重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

底座安装
包装/外壳

Module
供应商器件包装

-
厂商

onsemi
Package

Tray
Product Status

活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

114A (Tc)
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

28
Manufacturer

onsemi
Brand

onsemi
系列

-
操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)
包装

Tray
子类别

Discrete Semiconductor Modules
功率 - 最大

250W (Tj)
场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Common Source
Rds On(Max)@Id,Vgs

14mOhm @ 100A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.3V @ 40mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4707pF @ 800V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

454nC @ 20V
漏源电压 (Vdss)

1200V (1.2kV)
产品类别

Discrete Semiconductor Modules
场效应管特性

Silicon Carbide (SiC)
产品类别

Discrete Semiconductor Modules

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NXH010P120MNF1PG拓展信息

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