NXH011F120M3F2PTHG
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onsemi NXH011F120M3F2PTHG

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型号

NXH011F120M3F2PTHG

品牌

onsemi

utmel 编号

1807-NXH011F120M3F2PTHG

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

Module

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 4N-CH 1200V 105A 34PIM

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NXH011F120M3F2PTHG
NXH011F120M3F2PTHG onsemi MOSFET 4N-CH 1200V 105A 34PIM

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NXH011F120M3F2PTHG详情

onsemi NXH011F120M3F2PTHG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    Module

  • 供应商器件包装

    34-PIM (56.7x42.5)

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    105A (Tc)

  • 包装

    Tray

  • 操作温度

    -40°C ~ 175°C (TJ)

  • 零件状态

    活跃

  • 配置

    4 N-Channel (Full Bridge)

  • 功率 - 最大

    244W (Tj)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    16mOhm @ 100A, 18V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4.4V @ 60mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    6211.6pF @ 800V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    284nC @ 18V

  • 漏源电压 (Vdss)

    1200V (1.2kV)

  • 场效应管特性

    Silicon Carbide (SiC)

0个相似型号

NXH011F120M3F2PTHG拓展信息

FDG6301N
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ON Semiconductor

NDC7001C
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ON Semiconductor

FDS4935BZ
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ON Semiconductor

FDC6303N
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FDC6333C
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