onsemi NXH011F120M3F2PTHG

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

供应商器件包装

34-PIM (56.7x42.5)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

105A (Tc)

包装

Tray

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

零件状态

活跃

配置

4 N-Channel (Full Bridge)

功率 - 最大

244W (Tj)

Rds On(Max)@Id,Vgs

16mOhm @ 100A, 18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.4V @ 60mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6211.6pF @ 800V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

284nC @ 18V

漏源电压 (Vdss)

1200V (1.2kV)

场效应管特性

Silicon Carbide (SiC)