NXH020F120MNF1PG详情
onsemi NXH020F120MNF1PG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Module
安装类型
底座安装
供应商器件包装
22-PIM (33.8x42.5)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
51A (Tc)
Product Status
活跃
Package
Tray
厂商
onsemi
Continuous Drain Current Id
51
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
28
Manufacturer
onsemi
Brand
onsemi
操作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
系列
-
子类别
Discrete Semiconductor Modules
功率耗散
119
功率 - 最大
119W (Tj)
场效应管类型
4 N-Channel (Half Bridge)
Rds On(Max)@Id,Vgs
30mOhm @ 50A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.3V @ 20mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2420pF @ 800V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
213.5nC @ 20V
漏源电压 (Vdss)
1200V (1.2kV)
产品类别
Discrete Semiconductor Modules
信道型
Quad N
场效应管特性
Standard
产品类别
onsemi
NXH020F120MNF1PG拓展信息









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