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onsemi NXH040F120MNF1PTG

Name: NXH040F120MNF1PTG
Brand: onsemi
SKU: 1807-NXH040F120MNF1PTG
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

型号

NXH040F120MNF1PTG

品牌

utmel 编号

1807-NXH040F120MNF1PTG

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

封装

Module

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 40M

起订量

1最小包装量--

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NXH040F120MNF1PTG onsemi PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 40M

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NXH040F120MNF1PTG详情

技术参数

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onsemi NXH040F120MNF1PTG重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

Module
安装类型

底座安装
供应商器件包装

22-PIM (33.8x42.5)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A (Tc)
Product Status

活跃
Package

Tray
厂商

onsemi
Package Type

F1-4PACK Press-fit Pins with pre-applied thermal interface material (TIM) (Pb-Free and Halide-Free)
Continuous Drain Current Id

30A
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

28
Manufacturer

onsemi
Brand

onsemi
操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)
系列

-
子类别

Discrete Semiconductor Modules
功率耗散

74W
功率 - 最大

74W (Tj)
场效应管类型

4 N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

56mOhm @ 25A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.3V @ 10mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1505pF @ 800V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

122.1nC @ 20V
漏源电压 (Vdss)

1200V (1.2kV)
产品类别

Discrete Semiconductor Modules
信道型

Four N Channel
场效应管特性

Silicon Carbide (SiC)
产品类别

Discrete Semiconductor Modules

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NXH040F120MNF1PTG拓展信息

热销零件