ON Semiconductor 2N5307

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.4V

Current-Collector (Ic) (Max)

1.2A

Number of Elements

1

hFEMin

2000

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

40V

最大功率耗散

625mW

额定电流

1.2A

基本部件号

2N5307

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

625mW

功率 - 最大

625mW

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

1.2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

2000 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.4V @ 200μA, 200mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

40V

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

12V

达到SVHC

Unknown

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅