ON Semiconductor 2N6427

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

201mg

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

10000

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.2V

Number of Elements

1

已出版

2004

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

40V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

额定电流

1.2A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

2N6427

引脚数量

3

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

1.2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20000 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

1μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 500μA, 500mA

转换频率

130MHz

最大击穿电压

40V

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

12V

连续集电极电流

500mA

宽度

6.35mm

高度

6.35mm

长度

6.35mm

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

无铅