ON Semiconductor 2N5401RL1G

生命周期状态

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表面安装

NO

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

安装类型

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

150V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Current-Collector (Ic) (Max)

600mA

hFEMin

50

Number of Elements

1

已出版

2005

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

欧洲零件号

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

-150V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

-600mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

2N5401

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

300MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 5mA, 50mA

转换频率

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

160V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅