ON Semiconductor 2N5401RLRA

生命周期状态

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安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

150V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

hFEMin

50

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

-150V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

额定电流

-600mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

2N5401

引脚数量

3

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

300MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

150V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 5mA, 50mA

最高频率

300MHz

转换频率

100MHz

最大击穿电压

150V

集电极基极电压(VCBO)

160V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅