ON Semiconductor 2N6387

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220AB

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Current-Collector (Ic) (Max)

10A

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

电压 - 额定直流

60V

最大功率耗散

2W

额定电流

10A

基本部件号

2N6387

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

65W

功率 - 最大

2W

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

3V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 5A 3V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 100mA, 10A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

10A

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅