ON Semiconductor KSE3055TTU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2001

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

60V

最大功率耗散

600mW

额定电流

10A

频率

2MHz

元素配置

Single

功率耗散

600mW

增益带宽积

2MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 4A 4V

最大集极截止电流

700μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

8V @ 3.3A, 10A

集电极基极电压(VCBO)

70V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅