ON Semiconductor 2N7000BU

工厂交货时间

11 Weeks

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

安装类型

通孔

底架

通孔

触点镀层

Copper, Silver, Tin

引脚数

3

Turn Off Delay Time

10 ns

Power Dissipation (Max)

400mW Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200mA Tc

已出版

2013

包装

Bulk

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

电阻

5Ohm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

60V

额定电流

200mA

基本部件号

2N7000

元素配置

Single

功率耗散

400mW

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50pF @ 25V

上升时间

10ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

200mA

阈值电压

3.9V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

漏源击穿电压

60V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅