ON Semiconductor 2SA2013-TD-E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

7 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-200mV

Number of Elements

1

hFEMin

200

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

1.3W

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

引脚数量

3

元素配置

Single

功率 - 最大

3.5W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

360MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

340mV @ 100mA, 2A

最高频率

360MHz

转换频率

360MHz

最大击穿电压

50V

频率转换

400MHz

集电极基极电压(VCBO)

-50V

发射极基极电压 (VEBO)

-6V

高度

1.5mm

长度

4.5mm

宽度

2.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅