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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 2SA2039-H
2SA2039-H
2SA2039-H

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

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ON Semiconductor 2SA2039-H

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型号

2SA2039-H

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-2SA2039-H

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V

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2SA2039-H
2SA2039-H ON Semiconductor Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V

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2SA2039-H详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor 2SA2039-H重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 生命周期状态

    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)

  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 触点镀层

    Lead, Tin

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50V

  • hFEMin

    200

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2012

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    800mW

  • 基本部件号

    2SA2039

  • 功率 - 最大

    800mW

  • 晶体管类型

    PNP

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    430mV

  • 最大集电极电流

    5A

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    200 @ 500mA 2V

  • 最大集极截止电流

    1μA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    430mV @ 100mA, 2A

  • 频率转换

    360MHz

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    6V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor 2SA2039-H.

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & 2SA2039-H相似的参数规格。

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    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Collector Emitter Breakdown Voltage
    Max Collector Current
    Frequency - Transition
    hFE Min
    Max Power Dissipation
    RoHS Status
    查看对比:
  • 2SA2039-H

    2SA2039-H

    ON Semiconductor

    Through Hole

    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

    50 V

    5 A

    360MHz

    200

    800 mW

    ROHS3 Compliant

  • 2SC5706-P-E
    2SC5706-P-E

    ON Semiconductor

    Through Hole

    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

    100 V

    5 A

    400MHz

    -

    800 mW

    ROHS3 Compliant

    2SA2039-H
    VS
    2SC5706-P-E

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公司资质

ISO13485
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选择时请仔细核对商品参数信息

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