2SA2125-S-TD-E
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ON Semiconductor 2SA2125-S-TD-E

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型号

2SA2125-S-TD-E

utmel 编号

1807-2SA2125-S-TD-E

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

TO-243AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V

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2SA2125-S-TD-E ON Semiconductor Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V

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2SA2125-S-TD-E详情

ON Semiconductor 2SA2125-S-TD-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-243AA

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50V

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2005

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    3.5W

  • 功率 - 最大

    3.5W

  • 晶体管类型

    PNP

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    500mV

  • 最大集电极电流

    3A

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    200 @ 100mA 2V

  • 最大集极截止电流

    1μA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    500mV @ 100mA, 2A

  • 频率转换

    390MHz

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

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技术文档: ON Semiconductor 2SA2125-S-TD-E.

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