ON Semiconductor 2SB1123S-TD-E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

5 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-300mV

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

500mW

终端形式

FLAT

频率

150MHz

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

500mW

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

150MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

700mV @ 50mA, 1A

转换频率

150MHz

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

关断时间-最大值（toff)

480ns

接通时间-最大值(ton)

60ns

高度

1.5mm

长度

4.5mm

宽度

2.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅