ON Semiconductor 2SB1205T-E

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

表面安装

NO

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-250mV

Current-Collector (Ic) (Max)

5A

hFEMin

200

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2013

JESD-609代码

e6

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

最大功率耗散

1W

基本部件号

2SB1205

元素配置

Single

增益带宽积

320MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

-500mV

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

500nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 60mA, 3A

集电极基极电压(VCBO)

-25V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅