ON Semiconductor 2SC3647S-TD-E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

5 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

130mV

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

最大功率耗散

500mW

引脚数量

3

元素配置

Single

增益带宽积

120MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 100mA, 1A

最高频率

1MHz

最大击穿电压

100V

集电极基极电压(VCBO)

120V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

高度

1.5mm

长度

4.5mm

宽度

2.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅