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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 2SC5964-S-TD-E
2SC5964-S-TD-E
2SC5964-S-TD-E

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ON Semiconductor 2SC5964-S-TD-E

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型号

2SC5964-S-TD-E

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-2SC5964-S-TD-E

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-243AA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 50V

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2SC5964-S-TD-E
2SC5964-S-TD-E ON Semiconductor Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 50V

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2SC5964-S-TD-E详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor 2SC5964-S-TD-E重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    2 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-243AA

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50V

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2013

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    1.3W

  • 功率 - 最大

    1.3W

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    290mV

  • 最大集电极电流

    3A

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    200 @ 100mA 2V

  • 最大集极截止电流

    1μA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    290mV @ 100mA, 2A

  • 频率转换

    380MHz

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor 2SC5964-S-TD-E.

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公司资质

ISO13485
AS
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优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

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