ON Semiconductor 2SC6082

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

200mV

Number of Elements

1

hFEMin

200

已出版

2013

包装

Bulk

操作温度

150°C TJ

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)

最大功率耗散

2W

频率

195MHz

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

2W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

195MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

15A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 330mA 2V

最大集极截止电流

10μA ICBO

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 375mA, 7.5A

转换频率

195MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无

无铅

无铅