ON Semiconductor 2SC6096-TD-E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

100mV

Number of Elements

1

hFEMin

300

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

最大功率耗散

1.3W

终端形式

FLAT

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1.3W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

300MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

150mV

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

150mV @ 100mA, 1A

转换频率

300MHz

最大击穿电压

100V

集电极基极电压(VCBO)

120V

发射极基极电压 (VEBO)

6.5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅