ON Semiconductor 2SD1012G-SPA

安装类型

通孔

包装/外壳

3-SIP

表面安装

NO

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15V

Collector-Emitter Saturation Voltage

30mV

Current-Collector (Ic) (Max)

700mA

hFEMin

280

操作温度

125°C TJ

包装

Bulk

已出版

2012

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)

最大功率耗散

250mW

基本部件号

2SD1012

引脚数量

3

元素配置

Single

增益带宽积

250MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

15V

最大集电极电流

700mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

280 @ 50mA 2V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

80mV @ 10mA, 100mA

集电极基极电压(VCBO)

20V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅