ON Semiconductor 2SD1207T-AE

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

150mV

Number of Elements

1

hFEMin

140

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)

HTS代码

8541.29.00.75

最大功率耗散

1W

端子位置

BOTTOM

基本部件号

2SD1207

引脚数量

3

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

150MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 50mA, 1A

最高频率

150MHz

转换频率

150MHz

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

高度

8.5mm

长度

6mm

宽度

4.7mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅