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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥11.151648
10
¥10.520421
100
¥9.924931
500
¥9.363136
1000
¥8.833149
ON Semiconductor 2SD1803T-TL-H
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- 对比
2SD1803T-TL-H
1807-2SD1803T-TL-H
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
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Bipolar Transistor, (-)50V, (-)5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2SD1803T-TL-H详情
ON Semiconductor 2SD1803T-TL-H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
400mV
hFEMin
70
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
1W
基本部件号
2SD1803
引脚数量
3
元素配置
Single
无卤素
无卤素
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 500mA 2V
最大集极截止电流
1μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 150mA, 3A
最高频率
180MHz
频率转换
180MHz
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
高度
2.3mm
长度
6.5mm
宽度
5.5mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SD1803T-TL-H拓展信息
ON Semiconductor
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