ROHM Semiconductor 2SC5103TLP
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2SC5103TLP
2078-2SC5103TLP
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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TRANS NPN 60V 5A SOT-428
--最小包装量--
2SC5103TLP详情
ROHM Semiconductor 2SC5103TLP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
52 Weeks
触点镀层
Copper, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Number of Elements
1
hFEMin
82
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2000
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Copper (Sn/Cu)
HTS代码
8541.29.00.75
电压 - 额定直流
60V
最大功率耗散
1W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
5A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
2SC5103
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
80MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
82 @ 1A 2V
最大集极截止电流
10μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 200mA, 4A
转换频率
120MHz
频率转换
120MHz
集电极基极电压(VCBO)
100V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
关断时间-最大值(toff)
1800ns
接通时间-最大值(ton)
300ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SC5103TLP拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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