ON Semiconductor 2SD1816T-H

生命周期状态

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工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Number of Elements

1

hFEMin

70

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2013

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

HTS代码

8541.29.00.75

最大功率耗散

1W

端子位置

SINGLE

基本部件号

2SD1816

引脚数量

3

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1W

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 500mA 5V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 200mA, 2A

转换频率

180MHz

频率转换

180MHz

集电极基极电压(VCBO)

120V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅