ON Semiconductor 2SD1835T

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2011

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper/Nickel (Sn/Ag/Cu/Ni)

最大功率耗散

750mW

基本部件号

2SD1835

引脚数量

3

功率 - 最大

750mW

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 50mA, 1A

频率转换

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅