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1

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10

￥3.243689
100

￥3.060083
500

￥2.886872
1000

￥2.723466

ON Semiconductor 30C02MH-TL-E

Name: 30C02MH-TL-E
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-30C02MH-TL-E
Price: 3.44 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

30C02MH-TL-E

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-30C02MH-TL-E

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

SC-70, SOT-323

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

ON Semi 30C02MH-TL-E NPN Bipolar Transistor; 0.7 A; 30 V; 3-Pin MCPH

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30C02MH-TL-E ON Semiconductor ON Semi 30C02MH-TL-E NPN Bipolar Transistor; 0.7 A; 30 V; 3-Pin MCPH

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30C02MH-TL-E详情

技术参数

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ON Semiconductor 30C02MH-TL-E重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间

2 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SC-70, SOT-323
引脚数

3
Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V
Collector-Emitter Saturation Voltage

190mV
hFEMin

300
操作温度

150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2012
JESD-609代码

e6
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最大功率耗散

600mW
引脚数量

3
元素配置

Single
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

190mV
最大集电极电流

700mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 50mA 2V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

190mV @ 10mA, 200mA
最高频率

540MHz
频率转换

540MHz
集电极基极电压(VCBO)

40V
发射极基极电压 (VEBO)

5V
高度

850μm
长度

2mm
宽度

1.6mm
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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技术文档: ON Semiconductor 30C02MH-TL-E.

环境信息 :
Material Declaration 30C02MH-TL-E
数据表 :
30C02MH pid_6271126_30c02mh-tl-e-on-semiconductor-datasheet-110755578.pdf

30C02MH-TL-E拓展信息

热销零件