ON Semiconductor 495220TU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

325V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

325V

最大功率耗散

40W

额定电流

4A

极性

NPN

元素配置

Single

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

325V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 3A 5V

最大集极截止电流

5mA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 5mA, 2A

集电极基极电压(VCBO)

550V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅